PBSS4160PANSX دیتاشیت

PBSS4160PANSX

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS4160PANSX
حجم فایل 63.585 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت PBSS4160PANSX

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS4160PANSX
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 175MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 110@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 175mV@1A,100mA
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه