HSP100N15 دیتاشیت

HSP100N15

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSP100N15
حجم فایل 66.667 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSP100N15

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSP100N15
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 178W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5880pF@75V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 9.5pF@75V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.3mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه