دیتاشیت 3DD13009A8
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
3DD13009A8
|
حجم فایل |
66.342
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
4
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13009A8
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
12A
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Transition Frequency (fT):
4MHz
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
400V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
450mV@8A,1.6A
-
Package:
TO-220AB-3
-
Manufacturer:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics