دیتاشیت 2SB1132-Q

2SB1132-Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB1132-Q
حجم فایل 42.195 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت 2SB1132-Q

2SB1132-Q Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Foshan Blue Rocket Elec 2SB1132-Q
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@100mA,3V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 32V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Foshan Blue Rocket Elec