دیتاشیت SQD40P10-40L_GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SQD40P10-40L_GE3 |
---|---|
حجم فایل | 86.047 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SQD40P10-40L_GE3 |
SQD40P10-40L_GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQD40P10-40L_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 136W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 144nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 5540pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 38A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,8.2A
- Package: TO-252-2(DPAK)
- Manufacturer: Vishay Intertech