IRF1104PBF دیتاشیت

IRF1104PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF1104PBF
حجم فایل 73.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRF1104PBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF1104PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 170W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 93nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2900pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220AB-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه