ZXT13N50DE6TA دیتاشیت

ZXT13N50DE6TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXT13N50DE6TA
حجم فایل 93.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ZXT13N50DE6TA-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXT13N50DE6TA
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Transition Frequency (fT): 115MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 300@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 145mV@4A,400mA
  • Package: SOT-26
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه