PDTD113ET,215 دیتاشیت

PDTD113ET,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTD113ET,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت PDTD113ET,215

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTD113ET,215
  • Input Resistor: 1kΩ
  • Resistor Ratio: 1
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 33@50mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 1.4V@20mA,500mA
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): -
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 1.1V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V@50mA,2.5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه