CS2N65FA9 دیتاشیت

CS2N65FA9

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS2N65FA9
حجم فایل 75.84 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS2N65FA9

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS2N65FA9
  • Power Dissipation (Pd): 27W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5Ω@10V,1A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه