AP30H50Q دیتاشیت

AP30H50Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP30H50Q
حجم فایل 70.942 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت AP30H50Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP30H50Q
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.116nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 152pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه