- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HXY100N03DF
HXY100N03DF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HXY100N03DF |
|---|---|
| حجم فایل | 72.299 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت HXY100N03DF |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HXY MOSFET HXY100N03DF
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 3075pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,30A
- Package: DFN-8L(3x3)
- Manufacturer: HXY MOSFET