SI7956DP-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI7956DP-T1-GE3
|
|
حجم فایل
|
88.68
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
12
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI7956DP-T1-GE3
-
Power Dissipation (Pd):
1.4W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
150V
-
Continuous Drain Current (Id):
2.6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
105mΩ@10V,4.1A
-
Package:
PowerPAK-SO-8
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
