AP1002 دیتاشیت

ALLPOWER AP1002

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ALLPOWER AP1002
حجم فایل 69.739 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت ALLPOWER AP1002

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP1002
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 190pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 13pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,1A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه