SI1469DH-T1-E3 دیتاشیت

SI1469DH-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1469DH-T1-E3
حجم فایل 80.489 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI1469DH-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1469DH-T1-E3
  • Power Dissipation (Pd): 2.78W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,2A
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه