دیتاشیت SQJA82EP-T1_GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SQJA82EP-T1_GE3 |
---|---|
حجم فایل | 95.63 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت SQJA82EP-T1_GE3 |
SQJA82EP-T1_GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQJA82EP-T1_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 68W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 80V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 3000pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 60A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.2mΩ@10V,10A
- Package: PowerPAK-SO-8
- Manufacturer: Vishay Intertech