IPD80R1K4P7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPD80R1K4P7
|
|
حجم فایل
|
76.444
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPD80R1K4P7
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
32W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
10nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
800V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
250pF@500V
-
Continuous Drain Current (Id):
4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@700uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.4Ω@10V,1.4A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
