HY029N10P دیتاشیت

HY029N10P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY029N10P
حجم فایل 65.029 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت HY029N10P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY029N10P
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 394.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 148.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 10.8nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 270A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 37pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه