دیتاشیت BUK9Y4R8-60E,115
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | BUK9Y4R8-60E,115 |
---|---|
حجم فایل | 65.531 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت BUK9Y4R8-60E,115 |
BUK9Y4R8-60E,115 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia BUK9Y4R8-60E,115
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 238W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 50nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 7853pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@25,10V
- Package: SOT-669
- Manufacturer: Nexperia