دیتاشیت BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BUK9Y4R8-60E,115
حجم فایل 65.531 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia BUK9Y4R8-60E,115
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 238W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 50nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7853pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@25,10V
  • Package: SOT-669
  • Manufacturer: Nexperia