HGE055NE4A دیتاشیت

HGE055NE4A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HGE055NE4A
حجم فایل 68.806 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HGE055NE4A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics HGE055NE4A
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)

محصولات مشابه