UMH9N دیتاشیت

UMH9N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت UMH9N
حجم فایل 67.46 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت UMH9N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

UMH9N 5 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech UMH9N
  • Input Resistor: 10kΩ
  • Resistor Ratio: 4.7
  • Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): -
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 68@5mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 1.4V@10mA,0.3V
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): 0.3V@5mA,0.25mA
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 0.3V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): -
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه