HSP80P10 دیتاشیت

HSP80P10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSP80P10
حجم فایل 74.064 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت HSP80P10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSP80P10
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 210W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 180nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11.66nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 99pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه