IPB60R099C6 دیتاشیت

IPB60R099C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB60R099C6
حجم فایل 34.497 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت IPB60R099C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB60R099C6
  • Power Dissipation (Pd): 278W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 37.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@1.21mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,18.1A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه