PJM10H03NSC دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
PJM10H03NSC
|
|
حجم فایل
|
56.278
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
PJSEMI PJM10H03NSC
-
Power Dissipation (Pd):
1.5W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
-
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
-
-
Continuous Drain Current (Id):
3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
160mΩ@10V,3A
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
PJSEMI
