IPD90P03P4L04ATMA1 دیتاشیت

IPD90P03P4L-04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD90P03P4L-04
حجم فایل 62.259 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPD90P03P4L-04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD90P03P4L04ATMA1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 137W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11300pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@253uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,90A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه