SI4464DY-T1-E3 دیتاشیت

SI4464DY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4464DY-T1-E3
حجم فایل 73.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI4464DY-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4464DY-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 240mΩ@10V,2.2A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه