NCEP01ND35AG دیتاشیت

NCEP01ND35AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP01ND35AG
حجم فایل 82.351 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NCEP01ND35AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP01ND35AG
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 26nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1600pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 35A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 11pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه