KTB778-O-U/P دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
KTB778-O-U/P
|
|
حجم فایل
|
68.245
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
2
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
KEC Semicon KTB778-O-U/P
-
Transistor Type:
-
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
10A
-
Power Dissipation (Pd):
80W
-
Transition Frequency (fT):
10MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
55@1A,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
10uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
120V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
2.5V@5A,500mA
-
Package:
TO-3P
-
Manufacturer:
KEC Semicon
