SBC856BDW1T3G دیتاشیت

SBC856BDW1T3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SBC856BDW1T3G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SBC856BDW1T3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SBC856BDW1T3G
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 380mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-363-6(SC-70-6)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه