SI8472DB-T2-E1 دیتاشیت

SI8472DB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8472DB-T2-E1
حجم فایل 99.853 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI8472DB-T2-E1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8472DB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 780mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 630pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@4.5V,1.5A
  • Package: UFBGA-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه