YJQ4666B دیتاشیت

YANGJIE YJQ4666B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJQ4666B
حجم فایل 67.562 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJQ4666B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJQ4666B
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 40.1nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 852pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 620mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 109pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 24.5mΩ@4.5V,7A
  • Package: DFN-6L(2x2)
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه