HY1103S دیتاشیت

HY1103S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1103S
حجم فایل 58.298 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY1103S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1103S
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,6A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه