NCE0106Z دیتاشیت

NCE0106Z

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE0106Z
حجم فایل 81.845 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE0106Z

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0106Z
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 690pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 90pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@10V,5A
  • Package: TO-92-2.5mm
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه