IKW40N65H5 دیتاشیت

IKW40N65H5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IKW40N65H5
حجم فایل 35.371 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت IKW40N65H5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies IKW40N65H5
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 74A
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 22ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 2.5nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.39mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.45V@20A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 95nC@40A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 165ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 120A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.12mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 62ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 40uA@650V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 4V@400uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.65V@40A,15V
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه