دیتاشیت TPH4R008NH,L1Q
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
TPH4R008NH,L1Q
|
حجم فایل |
79.776
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TPH4R008NH,L1Q
-
Power Dissipation (Pd):
1.6W;78W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
59nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
80V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
5300pF@40V
-
Continuous Drain Current (Id):
60A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
4mΩ@10V,30A
-
Package:
SOP
-
Manufacturer:
TOSHIBA