IMX8T108 دیتاشیت

IMX8T108

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMX8T108
حجم فایل 60.878 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت IMX8T108

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon IMX8T108
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 180@2mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 120V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@10mA,1mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه