HYG053N10NS1C2 دیتاشیت

HYG053N10NS1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG053N10NS1C2
حجم فایل 64.543 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG053N10NS1C2-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG053N10NS1C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 83.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3744pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 95A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 153pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.6mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه