ASDM60N30KQ-R دیتاشیت

ASDM60N30KQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM60N30KQ-R
حجم فایل 60.817 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت ASDM60N30KQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM60N30KQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 55W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1562pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 66.8pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@10V,15A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه