IRF5210STRRPBF دیتاشیت

IRF5210STRRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF5210STRRPBF
حجم فایل 74.45 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRF5210STRRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF5210STRRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W;170W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 230nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2780pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 38A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,38A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه