onsemi EMX1DXV6T5G دیتاشیت

EMX1DXV6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت EMX1DXV6T1G
حجم فایل 80.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت EMX1DXV6T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi EMX1DXV6T5G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@5mA,50mA
  • Package: SOT-563

محصولات مشابه