AP3N1R8MT دیتاشیت

AP3N1R8MT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP3N1R8MT
حجم فایل 81.871 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت AP3N1R8MT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: APEC(Advanced Power Elec) AP3N1R8MT
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 40.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.89mΩ@10V,20A
  • Package: PMPAK(5x6)
  • Manufacturer: APEC(Advanced Power Elec)

محصولات مشابه