HSCB2016 دیتاشیت

HSCB2016

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSCB2016
حجم فایل 63.908 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HSCB2016

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSCB2016
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 18W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 910pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 100pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@4.5V,16A
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه