HYG018N10NS1B6 دیتاشیت

HYG018N10NS1B6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG018N10NS1B6
حجم فایل 63.248 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG018N10NS1B6-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG018N10NS1B6
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 205nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 12.57nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 322A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 208pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263-6
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه