VBZE50P03 دیتاشیت

VBZE50P03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE50P03
حجم فایل 63.014 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBZE50P03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE50P03
  • Power Dissipation (Pd): 127W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@4.5V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه