HYG022N10NS1TA دیتاشیت

HYG022N10NS1TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG022N10NS1TA
حجم فایل 62.659 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG022N10NS1TA-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG022N10NS1TA
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 312W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 9026pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 249A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 186.6pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ@10V,50A
  • Package: TOLL
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه