BST39,115 دیتاشیت

BST39,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BST39,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت BST39,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BST39,115
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 1.3W
  • Transition Frequency (fT): 70MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@20mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 20nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 350V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,4mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه