HSP1970 دیتاشیت

HSP1970

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSP1970
حجم فایل 68.1 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSP1970

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSP1970
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 285W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 111nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6725pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 215A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 84pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه