2SB806 دیتاشیت

2SB806

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB806
حجم فایل 60.384 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 1

مشاهده دیتاشیت 2SB806

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Shikues 2SB806
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 0.7A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 75MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 45@5mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 120V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Shikues

محصولات مشابه