AFGY120T65SPD دیتاشیت

AFGY120T65SPD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AFGY120T65SPD
حجم فایل 93.431 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت AFGY120T65SPD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi AFGY120T65SPD
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 160A
  • Power Dissipation (Pd): 714W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 40ns
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 6.6mJ
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 125nC
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 80ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 360A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 3.8mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 107ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2.05V@15V,120A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه