GT080N10M دیتاشیت

GT080N10M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT080N10M
حجم فایل 81.14 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT080N10M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT080N10M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 70nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.65nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 22pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه