دیتاشیت BSC009NE2LS5I
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSC009NE2LS5I
|
حجم فایل |
32.893
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
13
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC009NE2LS5I
-
Power Dissipation (Pd):
2.5W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
25V
-
Continuous Drain Current (Id):
40A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
0.95mΩ@10V,30A
-
Package:
DFN-5(5.1x6.1)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies